JAN2N2919U和JANS2N2919U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2919U JANS2N2919U JANTX2N2919U

描述 Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case UTrans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case USmall Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SMD-3 U -

安装方式 Surface Mount - -

封装 SMD-3 U -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 150 @1mA, 5V - -

额定功率(Max) 350 mW - -

工作温度 200℃ (TJ) - -

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

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