对比图
型号 IXTA130N10T IXTA130N10T-TRL IXFP130N10T
描述 N沟道 100V 130AMosfet n-Ch 100V 130A To263TO-220 N-CH 100V 130A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 3 - -
耗散功率 360 W 360W (Tc) 360W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 5080pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
漏源极电阻 - - 9.1 mΩ
极性 - - N-CH
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - - 130A
上升时间 47 ns - -
下降时间 28 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
高度 4.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free