FQD17P06和FQD17P06TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD17P06 FQD17P06TF FQD17P06TM

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD17P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -12.0 A -12.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 135 mΩ 0.11 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 12.0 mA

上升时间 - 100 ns 100 ns

输入电容(Ciss) - 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - - 60 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W

输入电容 - 690 pF -

栅电荷 - 21.0 nC -

漏源击穿电压 60.0 V - -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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