1N541和JANS1N5551US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N541 JANS1N5551US 1N5625-TR

描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEALED, GLASS, G-4, 2 PINDiode Switching 400V 5A 2Pin B-MELFRectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Gulfsemi Microsemi (美高森美) Vishay Intertechnology

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 - B-SQ-MELF-2 -

正向电压 - 1.2 V -

反向恢复时间 - 2000 ns -

正向电流 - 5000 mA -

正向电流(Max) - 5 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - B-SQ-MELF-2 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

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