199D106X9035D6A1E3和199D106X9035D6B1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D106X9035D6A1E3 199D106X9035D6B1E3 199D106X0035D6A1E3

描述 CAP TANT 10uF 35V 10% RADIAL199D 系列 10 uF ±10 % 35 V 径向 固体电解质钽电容Cap Tant Solid 10uF 35V 20% (6 X 12.66mm) Radial 5.08mm 125℃ Ammo Pack

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容钽电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 - Radial -

额定电压(DC) - 35.0 V -

电容 10.0 µF 10 µF 10.0 µF

容差 ±10 % ±10 % ±20 %

工作温度(Max) - 125 ℃ -

额定电压 35 V 35 V 35 V

高度 - 12.66 mm -

封装 - Radial -

介质材料 - Tantalum -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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