BLP10H610AZ和BLP10H610Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLP10H610AZ BLP10H610Z

描述 RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 10W, 22dB, 50V, PlasticRF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 10W, 22dB, 50V, Plastic

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 12 12

封装 VDFN-12 VDFN-12

频率 860 MHz 860 MHz

输出功率 10 W 10 W

增益 22 dB 22 dB

测试电流 60 mA 60 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 104 V 104 V

电源电压 50 V 50 V

封装 VDFN-12 VDFN-12

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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