对比图
型号 IRF8302MTR1PBF IRF8302MTRPBF
描述 Direct-FET N-CH 30V 31ADirect-FET N-CH 30V 31A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 Direct-FET Direct-FET
极性 N-CH N-CH
耗散功率 2.8W (Ta), 104W (Tc) 2.8 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 31A 31A
上升时间 37 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 6030pF @15V(Vds) 6030pF @15V(Vds)
下降时间 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
额定功率(Max) - 2.8 W
封装 Direct-FET Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅