对比图
型号 MJD32CRL MJD32CT4G NJVMJD32CT4G
描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR MJD32CT4G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 3 MHz, 15 W, -3 A, 10 hFEPNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 - 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) -100 V -100 V -
额定电流 -3.00 A -3.00 A -
针脚数 - 4 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 1.56 W 15 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 3A 3A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 25
额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W
直流电流增益(hFE) - 10 10
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1.56 W 1560 mW
增益频宽积 - - 3 MHz
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99