D1FJ10-5053和MMBD7000LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D1FJ10-5053 MMBD7000LT1G 1N4934

描述 100V, 1A, SMD Schottky Barrier Diode with 50A Surge; 1F Package TypeON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT1G  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mARectifier Diode, 1Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Shindengen (新电元) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 二极管阵列

基础参数对比

引脚数 - 3 2

封装 - SOT-23-3 DO-41

安装方式 - Surface Mount -

正向电压 0.72 V 1.1 V 1.2 V

反向恢复时间 - 4 ns 200 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 200 mA -

电容 - 1.50 pF -

无卤素状态 - Halogen Free -

负载电流 - 0.2 A -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 300 mW -

正向电流 - 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 mA -

正向电压(Max) - 1.1 V -

正向电流(Max) - 200 mA -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

封装 - SOT-23-3 DO-41

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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