对比图
型号 IRFP4668PBF IRFP90N20DPBF STW30NF20
描述 INFINEON IRFP4668PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VINFINEON IRFP90N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 5 VN沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 520 W 580 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.008 Ω 0.023 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 520 W 580 W 125 W
阈值电压 5 V 5 V 3 V
输入电容 10720 pF 6040 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 130A 94A 15.0 A
上升时间 105 ns 160 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 10720pF @50V(Vds) 6040pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 580 W 125 W
下降时间 74 ns 79 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 580W (Tc) 125W (Tc)
漏源击穿电压 - - 200 V
长度 15.87 mm 15.87 mm -
宽度 5.31 mm 5.3 mm -
高度 20.7 mm 20.3 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -