7202LA25TPI和IDT7202LA25TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7202LA25TPI IDT7202LA25TP IDT7202LA25SO

描述 先进先出 1K X 9 CMOS PARALLEL FIFCMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 DIP-28 DIP-28 SOIC-28

引脚数 28 - -

存取时间 25 ns - 25 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

封装 DIP-28 DIP-28 SOIC-28

长度 34.3 mm - -

宽度 7.62 mm - -

高度 3.3 mm - -

厚度 3.30 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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