对比图
型号 IRFH5020TR2PBF IRFH5020TRPBF
描述 INFINEON IRFH5020TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 200 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 VINFINEON IRFH5020TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 QFN-8 PQFN-8
通道数 1 1
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.047 Ω 0.047 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 8.3 W 3.6 W
阈值电压 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V -
连续漏极电流(Ids) 5.1A 5.1A
上升时间 7.7 ns 7.7 ns
输入电容(Ciss) 2290pF @100V(Vds) 2290pF @100V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 3.6W (Ta)
额定功率 - 3.6 W
额定功率(Max) - 3.6 W
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 6 mm -
宽度 5 mm 5 mm
高度 0.83 mm -
封装 QFN-8 PQFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17