对比图
型号 TK4P60DA TK4P60DB IXFP4N60P3
描述 TOSHIBA TK4P60DA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.4 VDPAK N-CH 600V 3.7AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-252 DPAK TO-220-3
耗散功率 35 W - 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) - - 365pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 114W (Tc)
极性 N-Channel N-CH -
连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.7A -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 1.7 Ω - -
阈值电压 2.4 V - -
长度 - - 10.66 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 16 mm
封装 TO-252 DPAK TO-220-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -