对比图
型号 C0402C330F5GAC7867 CBR04C330F5GAC
描述 Cap Ceramic 33pF 50V C0G 1% SMD 0402 125℃ Paper T/R射频电容, C0G / NP0, 33 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]
数据手册 --
制造商 KEMET Corporation (基美) KEMET Corporation (基美)
分类 陶瓷电容
封装(公制) 1005 1005
封装 0402 0402
安装方式 - Surface Mount
电容 33 pF 33 pF
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
额定电压(DC) - 50 V
容差 - ±1 %
额定电压 - 50 V
长度 1.00 mm 1 mm
宽度 0.5 mm 0.5 mm
高度 0.5 mm 0.5 mm
封装(公制) 1005 1005
封装 0402 0402
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
材质 - C0G/-55℃~+125℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 1
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅