PUMD48和PUMD48,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMD48 PUMD48,115 934055444165

描述 NXP  PUMD48  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP  PUMD48,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363Small Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363 SOT-363-6 -

针脚数 6 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) 100 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

最小电流放大倍数(hFE) 80 - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-363 SOT-363-6 -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

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