对比图
型号 6MBI100VA-060-50 MWI50-12E7 6MBI100VA-120-50
描述 IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor FUJI (富士电机)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Chassis PCB
引脚数 28 18 28
封装 M636 E2 M636
极性 N-Channel - N-Channel
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 335 W 350000 mW 520 W
耗散功率 - 350000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
输入电容(Cies) - 3.8nF @25V -
额定功率(Max) - 350 W -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
长度 107.5 mm - 107.5 mm
宽度 45 mm - 45 mm
高度 17 mm 17 mm 17 mm
封装 M636 E2 M636
产品生命周期 Active Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -