对比图
型号 SI4913DY-T1-E3 SI9934BDY-T1-GE3 SI4913DY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOICMOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5VMOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 8 - 8
漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W
极性 P-Channel, Dual P-Channel - Dual P-Channel
连续漏极电流(Ids) 9.40 A - 9.40 A
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.75 mm - 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free