IXFH15N100和IXFT15N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH15N100 IXFT15N100 APT17F100B

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH15N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 4.5 VTO-268 N-CH 1000V 15AN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-247-3

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 17.0 A

耗散功率 360 W - 625W (Tc)

输入电容 - - 2.25 nF

栅电荷 - - 90.0 nC

漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15A 17.0 A

上升时间 30 ns 30 ns 31 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4845pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 30 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360000 mW 625W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.7 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 4.5 V - -

漏源击穿电压 1000 V - -

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-247-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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