AO3420和SI2312CDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO3420 SI2312CDS-T1-GE3 FDN339AN

描述 N沟道,20V,6A,24mΩ@10VSI2312CDS-T1-GE3 编带FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN339AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 850 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 1.4 W 1.25 W 500 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6A 6A 3.00 A

上升时间 75 ns 17 ns 10 ns

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 630pF @10V(Vds) 865pF @10V(Vds) 700pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 2.1 W 460 mW

下降时间 6 ns 8 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 1250 mW 0.5 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0265 Ω 0.029 Ω

阈值电压 - 450 mV 850 mV

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 3.00 A

输入电容 - - 700 pF

栅电荷 - - 7.00 nC

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.92 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台