对比图
描述 Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 晶体管晶体管晶体管
引脚数 3 3 6
封装 TO-264-3 TO-264-3 ~0.27°C/W
安装方式 Through Hole Through Hole -
频率 40.68 MHz 40.68 MHz 40.68 MHz
额定电流 - - 13 A
耗散功率 357000 mW 357000 mW 1153000 mW
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输出功率 300 W 150 W 150 W
增益 16 dB 16 dB 16 dB
输入电容(Ciss) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds)
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 357000 mW 357000 mW 1153000 mW
额定电压 1000 V 1000 V 1000 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -
封装 TO-264-3 TO-264-3 ~0.27°C/W
高度 - 26.49 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead