对比图
型号 CE3520K3 CE3520K3-C1
描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CRF Mosfet N-Channel 2V 10mA 20GHz 13.8dB 0.125W(1/8W) 4-Micro-X
数据手册 --
制造商 California Eastern Laboratories California Eastern Laboratories
分类 JFET晶体管晶体管
引脚数 4 4
封装 Micro-4 Micro-X
频率 20 GHz 20 GHz
耗散功率 125 mW 125 mW
输出功率 125 mW 125 mW
增益 13.8 dB 13.8 dB
测试电流 10 mA 10 mA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 mW 125 mW
额定电压 4 V 4 V
封装 Micro-4 Micro-X
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99