对比图
型号 SI5933CDC-T1-GE3 SI5933DC-T1-E3 SI5933DC-T1-GE3
描述 SI5933CDC-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3A, 20V, 8Pin 1206 ChipFETMOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
引脚数 - 8 -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
额定功率(Max) 2.8 W 1.1 W 1.1 W
漏源极电阻 - 0.11 Ω -
极性 - P-Channel -
耗散功率 - 1.1 W -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) - -2.70 A -
热阻 - 0.11℃/W (RθJA) -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
通道数 2 - -
输入电容(Ciss) 276pF @10V(Vds) - -
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
长度 - 3.1 mm -
高度 - 1.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free