STP5NK52ZD和UF830L-TN3-R

对比图

型号 STP5NK52ZD UF830L-TN3-R IRF830

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsUF830L-TN3-R 编带N沟道功率MOSFET ， 4.5 A ， 450V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) UTC (友顺) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-252-2 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 25W (Tc) - -

漏源极电压(Vds) 520 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.5A -

上升时间 13.6 ns - -

输入电容(Ciss) 529pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 70 W - -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 25W (Tc) - -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 15.75 mm - -

封装 TO-220-3 TO-252-2 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -