JAN1N5520B-1和JANTX1N5520B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5520B-1 JANTX1N5520B-1 MZ5520BRL

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW3.9V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

引脚数 - 2 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.9 V 3.9 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

耗散功率 - 417 mW -

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

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