对比图
型号 FDMS7682 FDMS8670AS FDMS8670S
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V ， 42A ， 3.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V, 42A, 3.0mヘN沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8
漏源极电阻 0.0052 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 33 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.9 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 16A 23A 42.0 A
上升时间 10 ns 5 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1885pF @15V(Vds) 3615pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 10 ns 4 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 42.0 A
输入电容 - - 4.00 nF
栅电荷 - - 73.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
长度 5 mm 6 mm 6 mm
宽度 6 mm 5 mm 5 mm
高度 1.05 mm 1.1 mm 1.1 mm
封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - - EAR99