NTHD4401PT1G和SI5903DC-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTHD4401PT1G SI5903DC-T1-GE3 NTHD4401PT3G

描述 功率MOSFET -20 V, -3.0 A,双P沟道, ChipFET Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFETMOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8Chip P-CH 20V 2.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -2.10 A - -2.10 A

漏源极电阻 200 mΩ - 200 mΩ

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 1.1 W - 1.10 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.10 A - 2.10 A

上升时间 13 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) - 300pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

下降时间 13 ns - 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1600 mW

通道数 2 - -

漏源击穿电压 20 V - -

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

长度 3.05 mm 3.05 mm -

宽度 1.65 mm 1.65 mm -

高度 1.05 mm 1.1 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司