BZX85C68-TR和BZV85-C68,113

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C68-TR BZV85-C68,113 BZX85-C68-D9

描述 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-41 68V 1.3WZener Diode, 68V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, GLASS, DO-41, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-41 DO-41 DO-41

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 4.1 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 - 1V @50mA -

耗散功率 1300 mW 1300 mW -

测试电流 4 mA 4 mA -

稳压值 68 V 68 V -

正向电压(Max) - 1V @50mA -

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W -

耗散功率(Max) 1.3 W 1300 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 70.75 mV/K -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台