JAN1N6169US和JANTX1N6169US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6169US JANTX1N6169US JANTXV1N6169US

描述 G-MELF 98.8V 1500WG-MELF 98.8V 1500WTvs Diode 98.8vwm 187.74vc Cpkg

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SQ-MELF G-MELF SQ-MELF

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 117.33 V 117.33 V 117.33 V

最大反向电压(Vrrm) 98.8V 98.8V -

封装 SQ-MELF G-MELF SQ-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台