JANTX1N5524B和JANTXV1N5524B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5524B JANTXV1N5524B-1 JANTX1N5524B-1

描述 5.6V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35 DO-204AH

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 - 0.5 W 417 mW

测试电流 - 3 mA 3 mA

稳压值 - 5.6 V 5.6 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

长度 - - 5.08 mm

封装 - DO-35 DO-204AH

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

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