IDT6116LA150DB和IDT6116SA150DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA150DB IDT6116SA150DB IDT6116LA150DGB

描述 CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24, 0.6INCH, CERAMIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Active

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A001 3A001.a.2.c -

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