70V659S12BF和IDT70V659S12DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V659S12BF IDT70V659S12DR 70V659S12BFI

描述 SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 208Pin CABGA Tray高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMIC SRAM 4.5Mbit 12NS 208CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

存取时间 12 ns - 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 3.45 V - 3.45 V

电源电压(Min) 3.15 V - 3.15 V

长度 15 mm - 15 mm

宽度 15 mm - 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

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