对比图
型号 STF11NM60N STF19NM50N STF12NM50ND
描述 N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STF19NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 VN沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 10.0 A - -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 450 mΩ 0.2 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 25 W 30 W 25000 mW
输入电容 850 pF - -
栅电荷 31.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -
上升时间 18.5 ns 16 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 30 W 25 W
下降时间 12 ns 17 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.3 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -