AJT015和MS2212

对比图

型号 AJT015 MS2212 AM80912-015

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.310 X 0.31INCH, HERMETIC SEALED, M222, 2Pin航空电子应用射频和微波晶体管 AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Screw -

引脚数 - 4 -

封装 - M-222 -

频率 - 1215 MHz -

耗散功率 - 50 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -

增益 - 8.1dB ~ 8.9dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 50 W -

工作温度(Max) - 250 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

封装 - M-222 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -