BSM100GB170DLC和BSM150GB170DN2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM100GB170DLC BSM150GB170DN2 BSM200GB170DL

描述 Trans IGBT Module N-CH 1700V 200A 960000mW 7Pin 62MM TrayIGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Eupec

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

封装 62MM 62MM -

封装 62MM 62MM -

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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