对比图
型号 AUIRFR2307Z IRFR2307Z AUIRFR2307ZTRL
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 75V 53ATrans MOSFET N-CH 75V 53A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 110 W - -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 110W (Tc) 110W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 53A 53A -
上升时间 65 ns - -
输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
下降时间 29 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -
额定功率(Max) - - 110 W
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.39 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free