8403606JA和IDT6116LA70DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8403606JA IDT6116LA70DB 6116SA70DB

描述 2K ×8的异步CMOS静态RAM 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAMCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 70ns 24Pin CDIP

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP CDIP CDIP

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

电源电压 5 V - -

高度 3.81 mm - -

封装 CDIP CDIP CDIP

长度 - - 32.0 mm

宽度 - - 15.2 mm

厚度 - - 2.90 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 3A001A2C 3A001 -

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