IS43DR16160A-25EBL-TR和IS43DR16160B-25DBL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160A-25EBL-TR IS43DR16160B-25DBL-TR

描述 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 400MHz @ CL6, 84 Ball BGA (8mmx12.5mm) , T&RDRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16M x 16 DDR2

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 84

封装 TFBGA-84 TFBGA-84

位数 - 16

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) - 0.4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 TFBGA-84 TFBGA-84

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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