对比图
型号 VI40100C-E3/4W VI40100C-M3/4W VI40100CHM3/4W
描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.38 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky RectifierDiode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
正向电压 730mV @20A 730mV @20A 730mV @20A
正向电压(Max) 730mV @20A - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 10.45 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 8.89 mm - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅
工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -