IKW50N65F5FKSA1和IXYH40N65C3H1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IKW50N65F5FKSA1 IXYH40N65C3H1

描述 INFINEON  IKW50N65F5FKSA1  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚IXYS SEMICONDUCTOR  IXYH40N65C3H1  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3

耗散功率 305 W 300 W

击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V

反向恢复时间 52 ns 120 ns

额定功率(Max) 305 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 305000 mW 300000 mW

额定功率 305 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3

长度 16.13 mm -

宽度 5.21 mm -

高度 21.1 mm -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -

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