ICTE15C-E3/73和1N6385-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE15C-E3/73 1N6385-E3/73 1N6385-E3/51

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V BidirectDiode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoDiode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

耗散功率 - 1.5 kW 1.5 kW

钳位电压 21.4 V 21.4 V 21.4 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

工作电压 15 V 15 V -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Ammo Pack Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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