APT8075BN和PSMN004-60P,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8075BN PSMN004-60P,127 IRFS640B

描述 TO-247 N-CH 800V 13ATrans MOSFET N-CH 60V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-220-3 TO-220

耗散功率 - - -

漏源极电压(Vds) 800 V 60 V 200 V

输入电容(Ciss) - 8300pF @25V(Vds) -

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 13A - 18A

封装 TO-247 TO-220-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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