K4B1G0846E-HCH9和W631GG8KB15I

对比图

型号 K4B1G0846E-HCH9 W631GG8KB15I NT5CB128M8DN-DH

描述 1Gbit DDR3 SDRAM 1333MHz 78-FBGA - K4B1G0846E-HCH9IC SDRAM 1GBIT 667MHz 78BGADRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin WBGA

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Winbond Electronics (华邦电子股份) Nanya (南亚)

分类 存储芯片

引脚数 - 78 -

封装 TFBGA TFBGA-78 TFBGA

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 0.255 ns -

工作温度(Max) - 95 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V -

封装 TFBGA TFBGA-78 TFBGA

工作温度 - -40℃ ~ 95℃ -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -