VNB28N04和VNB28N0413TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB28N04 VNB28N0413TR

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET电源开关 IC - 配电 OMNIFET POWER MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 模拟开关芯片MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 -

输出接口数 1 1

输出电流 19 A 19 A

耗散功率 83 W 83000 mW

输出电流(Max) 19 A 19 A

漏源极电阻 35.0 mΩ -

漏源击穿电压 42.0 V -

连续漏极电流(Ids) 28.0 A -

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台