FDH5500和FDH5500_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDH5500 FDH5500_F085

描述 N沟道 55V 75AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDH5500_F085  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.9 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0052 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 375 W 375 W

阈值电压 - 2.9 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75A

输入电容(Ciss) 3565pF @25V(Vds) 3565pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 375 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc)

上升时间 102 ns -

下降时间 22 ns -

长度 15.87 mm 20.82 mm

宽度 4.82 mm 15.87 mm

高度 20.82 mm 4.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

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