BD240B和D45VH10G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD240B D45VH10G 2N6491G

描述 中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching ApplicationsPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。ON SEMICONDUCTOR  2N6491G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 50 MHz 5 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -2.00 A -15.0 A 15.0 A

针脚数 - 3 3

极性 - PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 83 W 1.8 W

增益频宽积 - 50 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - 62.5℃/W (RθJC) 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 20 @4A, 1V 20 @5A, 4V

额定功率(Max) 30 W 83 W 1.8 W

直流电流增益(hFE) - 35 5

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 83 W 1800 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

长度 - 10.28 mm 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm 4.82 mm

高度 - 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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