对比图
型号 IXFX20N120 IXFX20N120P IXFN20N120
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 VTrans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Chassis
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 750 mΩ 0.57 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 780 W 780 W 780W (Tc)
阈值电压 4.5 V 6.5 V -
漏源极电压(Vds) 1.2 kV 1.2 kV 1200 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -
输入电容(Ciss) 7400pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 780W (Tc) 780W (Tc) 780W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 1200 V -
上升时间 - 45 ns -
下降时间 - 70 ns -
封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
重量 6 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/06/15 -