IRFR4104TRPBF和IRFR4104TRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4104TRPBF IRFR4104TRRPBF IRFR4104PBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 40V 119AINFINEON  IRFR4104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 140W (Tc) 140 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 119A 119A 119A

上升时间 69 ns 69 ns 69 ns

输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds)

下降时间 36 ns 36 ns 36 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 140 W - 140 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0043 Ω - 0.0055 Ω

阈值电压 4 V - 4 V

额定功率(Max) 140 W - 140 W

输入电容 2950 pF - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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