对比图
型号 IRF630NSPBF IRF630SPBF IRF630NSTRLPBF
描述 INFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VVISHAY IRF630SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 82 W - 82 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.3 Ω 300 mΩ 0.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 82 W 74 W 82 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.3A 9.00 A 9.3A
上升时间 14 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns - 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 82W (Tc) 3000 mW 82W (Tc)
输入电容 - - 575 pF
额定功率(Max) - - 82 W
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 11.3 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -