NE5532DR和TLE2024QDWREP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NE5532DR TLE2024QDWREP MC33172DR2G

描述 Texas Instruments神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSMC33171/2/4,MCV33172,低功率,单电源 3 V 至 44 V,运算放大器,ON SemiconductorMC33171(单路),MC33172(双路),MC33174(四路) 低电源电流:每个放大器 180 μA 宽带宽:1.8 MHz 高转换速率:2.1 V/μs 低输入偏置电压:2 mV NCV33172 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 16 8

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - 5 mA

供电电流 8 mA 1.05 mA 220 µA

电路数 2 4 2

通道数 2 4 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70dB ~ 100dB 80 dB 90 dB

带宽 10 MHz 1.70 MHz 1.8 MHz

转换速率 9.00 V/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 10 MHz 2.8 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 500 µV 1.1 mV 2 mV

输入偏置电流 200 nA 50 nA 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

增益带宽 10 MHz - 1.8 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 80 dB 80 dB

电源电压 - - 3V ~ 44V

电源电压(Max) 30 V - 44 V

电源电压(Min) 10 V - 3 V

输入补偿漂移 0.00 V/K 2.00 µV/K -

电源电压(DC) 18.0 V - -

工作电压 5V ~ 15V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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