M29W640FT70N6E和M29W640GT70NA6F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W640FT70N6E M29W640GT70NA6F W29GL064CT7S

描述 MICRON  M29W640FT70N6E  闪存, 引导块, 64 Mbit, 8M x 8位 / 4M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns 48Pin TSOP T/RNOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns 48Pin TSOP

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TSOP-48 TSSOP TSOP-48

引脚数 48 - 48

封装 TSOP-48 TSSOP TSOP-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

电源电压(DC) 2.70V (min) - -

针脚数 48 - -

位数 8, 16 - 8, 16

存取时间 70 ns - -

内存容量 8000000 B - -

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a

香港进出口证 - - NLR

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